国内首套展示第三代半导体研究成果的系列科技专著——《宽禁带半导体前沿丛书》，近日由西安电子科技大学出版社正式出版发行。
丛书编委会由中国科学院郝跃院士、郑有炓院士、刘明院士、江风益院士等多名科学家领衔，集中了北京大学、南京大学、中国科技大学等10余所高校、研究所近40位中青年微电子专家组成。
该丛书瞄准世界科技前沿和产业热点，反映我国宽禁带半导体研究领域核心科技创新，以服务国家重大战略和学科发展需求为宗旨，致力于梳理宽禁带半导体基础前沿与核心科学技术问题，从半导体材料的表征、机制、应用和器件的制备等多个方面，介绍宽禁带半导体领域的前沿理论、核心技术及最新研究进展。丛书由12部专著组成，包括《氮化镓基半导体异质结构及二维电子气》《氮化镓单晶材料生长与应用》《宽禁带半导体紫外光电探测器》《宽禁带半导体核辐射探测器》《宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能》等著作。
